目前，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料得到了極大地關(guān)注，它們在較大功率、高溫、高壓應(yīng)用領(lǐng)域所發(fā)揮的作用也不是傳統(tǒng)的硅器件所能比較的。尤其是伴隨著新能源、5G等新興高科技領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料的要求日益嚴(yán)格，第三代半導(dǎo)體材料注定會進(jìn)一步大放異彩。

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作為半導(dǎo)體材料的常用加工設(shè)備，想必在這種新型材料氧化鎵的超微粉碎上一定也可以取得較好的效果。氧化鎵在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用并不是一項(xiàng)嶄新的技術(shù)，在很多年前就有人對其展開了大量的研究，但這種材料原本不是用于功率元件的，最初是計(jì)劃用于LED（發(fā)光二極管）基板等而進(jìn)行研發(fā)的。

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對物料的超微粉碎，可以提高物料的附加值以及擴(kuò)大產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。但是這些用途的研發(fā)與應(yīng)用規(guī)模較小，它的一些“特異功能”似乎有些超前，并無用武之地，再加上它的技術(shù)難度高以及散熱方面問題突出，在當(dāng)時看來顯然不如開發(fā)碳化硅、氮化鎵等具有性價比。

而隨著應(yīng)用需求的發(fā)展愈加明朗，未來對高功率器件的性能要求越來越高，尤其是對超寬禁帶半導(dǎo)體材料的迫切需求，這使得人們深切地看到了氧化鎵的優(yōu)勢和前景，相應(yīng)的研發(fā)工作又多了起來，已成為美國、日本、德國等國家的研究熱點(diǎn)和競爭重點(diǎn)。

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